EN 
IN
Journal article
PENGARUH KETEBALAN LAPISAN PENYANGGA GaN TERHADAP STRUKTUR KRISTAL DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS GaN DITUMBUHKAN DENGAN METODA PULSED LASER DEPOSITION
I Gusti Agung Putra Adnyana Komang Ngurah Suarbawa I Ketut Sukarasa
Volume : 11 Nomor : 1 Published : 2009, October
Jurnal Sains Materi Indonesia
Abstrak
PENGARUH KETEBALAN LAPISAN PENYANGGA GaN TERHADAP STRUKTUR KRISTAL DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS GaN DITUMBUHKAN DENGAN METODA PULSED LASER DEPOSITION Telah dilakukan penelitian pengaruh ketebalan lapisan penyangga GaN terhadap struktur kristal dan sifat optik film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan metoda Pulsed Laser Deposition. Lapisan penyangga ditumbuhkan pada temperatur T=450ºC dan laju aliran nitrogen 100 sccm dengan waktu deposisi divariasikan antara 15 -45 menit. Film yang diperoleh dikarakterisasi dengan Difraksi sinar-X, profilometer DEKTAK IIA dan Spektroskopi UV-vis. Ketebalan lapisan penyangga berpengaruh terhadap sifat optik dan kualitas kristal film tipis GaN yang ditumbuhkan di atasnya. Dari karakterisasi Difraksi sinar-X dan analisa Spektroskopi UV-vis, diketahui bahwa film tipis GaN yang ditumbuhkan di atas lapisan penyangga dengan ketebalan 184,6Å cenderung memiliki orientasi tunggal (0002) yang lebih baik dengan FWHM 0,9º dan energi band gap (Eg) = 3,4 eV dibandingkan dengan film tipis GaN dengan ketebalan lapisan penyangga 370,2Å dan 560Å.