PENGARUH MUATAN LISTRIK DI DALAM INSULATOR SrTiO3 DAN FUNGSI KERJA Al-p-Si TERHADAP SIFAT IDIAL STRUKTUR MIS Al-SrTiO3-p-Si

Telah dideposisi lapisan tipis SrTiO3 di atas p-Si (100) dengan metoda dc unbalance magnetron sputtering. Lapisan tipis SrTiO3 yang diperoleh berupa polikristal berstruktur kubik dengan tetapan kisi 3,87 Å dengan ketebalan 329,6 dan 524,7 nm masing-masing untuk waktu deposisi 210 dan 330 menit. Karakterisasi kurva C-V pada frekuensi tinggi dengan alat Boonton 7200 Capasitance Meter dari struktur Al/SrTiO3/p-Si memberikan kapasitansi keadaan akumulasi sebesar 78,37 dan 49,25 pF masing-masing untuk ketebalan 329,6 dan 524,7 nm dengan nilai tetapan dieliktrik 11,67. Penyimpangan kurva C-V hasil pengukuran terhadap kurva C-V keadaan idialnya sebesar 0,853 dan 0,851 volt disebabkan oleh beda fungsi kerja Al/p-Si sebesar 0,856 volt dan oleh muatan listrik negative yang terdistribusi di dalam lapisan tipis SrTiO3 dengan kerapatan 1,03 x 10-12 C/mm2 yang memberikan kontribusi penyimpangan kurva C-V hasil pengukuran terhadap kurva C-V keadaan idial sebesar 3,296 x 10-3 dan 5,247 x 10-3 volt dalam arah sumbu V. Kata Kunci: film tipis SrTiO3, dc unbalance mabnetron souttering, kapasitansi pita datar, penyimpangan kurva C-V